Приведена классификация и анализируются характеристики, а также физические основы функционирования активных элементов, применяющихся в СВЧ-передающих трактах аппаратуры систем мобильной связи и радиодоступа (MOSFET, LDMOS, MESFET, HEMT(MODFET), PHEMT, BJT, HBT). Рассмотрены их модели в режимах усиления малых и больших сигналов в виде четырехполюсников, а также эквивалентные схемы. Основы проектирования согласующих устройств, цепей питания и суммирования мощностей рассмотрены применительно к элементной базе – как на сосредоточенных элементах, так и на микрополосковых линиях передачи. Даны математические основы современных средств автоматизированного проектирования и исследования нелинейных СВЧ-схем с транзисторами: временной анализ, метод гармонического баланса и теория рядов Вольтерры. Анализируются классы и режимы работы усилителей мощности в высокочастотном усилительном тракте, а также способы их оптимизации. Представлен сравнительный анализ высокоэффективных специальных методов усиления широкополосных сигналов с амплитудной и фазовой модуляцией. На основе поведенческих моделей усилителей мощности рассмотрены методы цифровой компенсации нелинейных искажений в них – как безынерционных, так и с динамическими нелинейными эффектами памяти.
Для специалистов в области проектирования СВЧ-усилителей мощности систем мобильной связи и радиодоступа, а также широкого круга разработчиков техники СВЧ, будет полезна преподавателям, студентам старших курсов, магистрам и аспирантам, обучающимся по радиотехническим и информационным специальностям.

Дополнительная информация