Таперо К.И.

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Автор: Таперо К.И.
ISBN: 978-5-9963-0633-6
нет в наличии

430.00 руб.

Нет в наличии

Аннотация

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Дополнительная информация

Отзывы

0
Написать отзыв

Нет отзывов о товаре

С этим товаром покупают

×

Добавить отзыв

×

Заказать обратный звонок

×

Отправить Список желаний на почту

×